ဂဟေဆော်သည့်ဝိုင်ယာတွင်ပါရှိသော သတ္တုဒြပ်စင်များ၏ သြဇာသက်ရောက်မှု

Si, Mn, S, P, Cr, Al, Ti, Mo, V နှင့် အခြားသတ္တုစပ်ဒြပ်စင်များပါရှိသော ဂဟေဝါယာများအတွက်။ ဂဟေဆက်ခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်အပေါ် ဤသတ္တုစပ်ဒြပ်စင်များ၏ လွှမ်းမိုးမှုကို အောက်တွင်ဖော်ပြထားသည်-

ဆီလီကွန် (Si)

ဆီလီကွန်သည် ဂဟေဝါယာများတွင် အသုံးအများဆုံး deoxidizing ဒြပ်စင်ဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းသည် သံဓာတ်နှင့် ပေါင်းစပ်ခြင်းမှ ကာကွယ်နိုင်ပြီး သွန်းသောရေကန်တွင် FeO ကို လျှော့ချနိုင်သည်။ သို့သော်၊ ဆီလီကွန် deoxidation ကို တစ်ယောက်တည်းအသုံးပြုပါက ရလဒ် SiO2 သည် မြင့်မားသော အရည်ပျော်မှတ် (1710°C ခန့်) ရှိပြီး ရလဒ်အမှုန်များသည် သေးငယ်သောကြောင့် အရည်ပျော်ကန်အတွင်း လွယ်လင့်တကူ ကပ်ငြိနေသော ကပ်စေးများပါဝင်မှုကို ဖြစ်စေသည်။ weld သတ္တု။

မန်းဂနိစ် (Mn)

မန်းဂနိစ်၏ အာနိသင်သည် ဆီလီကွန်နှင့် ဆင်တူသော်လည်း ၎င်း၏ ဓာတ်တိုးနိုင်စွမ်းသည် ဆီလီကွန်ထက် အနည်းငယ် ပိုဆိုးသည်။ မန်းဂနိစ် ဖယ်ထုတ်ခြင်း တစ်ခုတည်းကို အသုံးပြု၍ ထုတ်လုပ်ထားသော MnO သည် ပိုမိုသိပ်သည်းဆ (15.11g/cm3) ရှိပြီး သွန်းသောရေကန်မှ ပေါ်ထွက်ရန် မလွယ်ကူပါ။ ဂဟေကြိုးတွင်ပါရှိသော မန်းဂနိစ်သည် ဓာတ်တိုးခြင်းအပြင် ဆာလ်ဖာနှင့် မန်းဂနိစ်ဆာလ်ဖိုင်ဒ် (MnS) အဖြစ် ပေါင်းစပ်နိုင်ပြီး ဖယ်ထုတ်ခြင်း (desulfurization) ဖြစ်သောကြောင့် ဆာလဖာကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ပူပြင်းသော အက်ကွဲကြောင်းများကို လျှော့ချနိုင်သည်။ ဆီလီကွန် နှင့် မန်းဂနိစ်ကို ဓာတ်တိုးရန် တစ်ခုတည်းကို အသုံးပြုထားသောကြောင့် deoxidized ထုတ်ကုန်များကို ဖယ်ရှားရန် ခက်ခဲသည်။ ထို့ကြောင့်၊ ဆီလီကွန်-မန်းဂနိစ် အဆစ်အဆစ် deoxidation ကို လက်ရှိတွင် အများအားဖြင့် အသုံးပြုနေသောကြောင့် ထုတ်လုပ်လိုက်သော SiO2 နှင့် MnO ကို silicate (MnO·SiO2) အဖြစ် ပေါင်းစပ်နိုင်မည်ဖြစ်သည်။ MnO·SiO2 တွင် အရည်ပျော်မှတ်နည်းပါးသော (1270°C ခန့်) နှင့် သိပ်သည်းဆနည်းသော (3.6g/cm3 ခန့်) ရှိပြီး သေးငယ်သော အတုံးများအဖြစ် စုပုံပြီး ကောင်းသော deoxidation အကျိုးသက်ရောက်မှုကို ရရှိစေရန် သွန်းသောရေကန်တွင် လွင့်ထွက်နိုင်သည်။ မန်းဂနိစ်သည် သံမဏိတွင် အရေးပါသော သတ္တုစပ်ဒြပ်စင်တစ်ခုဖြစ်ပြီး အရေးပါသော မာကျောသည့်ဒြပ်စင်ဖြစ်ပြီး ၎င်းသည် ဂဟေဆော်သတ္တု၏ ခိုင်မာမှုအပေါ် လွှမ်းမိုးမှုရှိသည်။ Mn ပါဝင်မှု 0.05% ထက်နည်းသောအခါ ဂဟေသတ္တု၏ မာကျောမှုသည် အလွန်မြင့်မားသည်။ Mn ပါဝင်မှု 3% ထက်ပိုသောအခါ အလွန်ကြွပ်ဆတ်သည်။ Mn ပါဝင်မှု 0.6-1.8% ဖြစ်သောအခါ ဂဟေသတ္တုသည် ပိုမိုခိုင်ခံ့မှုနှင့် ခိုင်ခံ့မှုရှိသည်။

ဆာလဖာ (S)

ဆာလဖာသည် သံမဏိတွင် သံဆာလ်ဖိုက်ပုံစံဖြင့် မကြာခဏတည်ရှိပြီး စပါးနယ်နိမိတ်အတွင်း ကွန်ရက်ပုံစံဖြင့် ဖြန့်ဝေပေးသောကြောင့် သံမဏိ၏ မာကျောမှုကို သိသိသာသာ လျှော့ချပေးသည်။ သံနှင့် သံဆာလ်ဖိုင်ဒ်၏ eutectic အပူချိန်သည် (985°C) နိမ့်သည်။ ထို့ကြောင့် ပူသောအလုပ်တွင်၊ လုပ်ငန်းစဉ်စတင်သည့်အပူချိန်သည် ယေဘုယျအားဖြင့် 1150-1200°C ဖြစ်ပြီး၊ သံနှင့်သံဆာလ်ဖိုင်ဒ်၏ eutectic အရည်ပျော်သွားပြီး စီမံဆောင်ရွက်နေစဉ်အတွင်း ကွဲအက်သွားကာ ဤဖြစ်စဉ်ကို "ဆာလဖာပူပူ" ဟုခေါ်သည်။ . ဆာလဖာ၏ ဤဂုဏ်သတ္တိသည် သံမဏိအား ဂဟေဆက်နေစဉ်အတွင်း အက်ကွဲကြောင်းများ ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ ထို့ကြောင့်၊ သံမဏိတွင် ဆာလဖာပါဝင်မှုကို ယေဘူယျအားဖြင့် တင်းကြပ်စွာ ထိန်းချုပ်ထားသည်။ သာမန် ကာဗွန်သံမဏိ၊ အရည်အသွေးမြင့် ကာဗွန်သံမဏိနှင့် အဆင့်မြင့် အရည်အသွေးမြင့် သံမဏိတို့ကြား အဓိက ကွာခြားချက်မှာ ဆာလဖာနှင့် ဖော့စဖရပ် ပမာဏတို့ ဖြစ်သည်။ အစောပိုင်းတွင် ဖော်ပြခဲ့သည့်အတိုင်း မန်းဂနိစ်သည် စပါးတွင် ဖြန့်ဝေထားသည့် ဆာလဖာနှင့်အတူ မြင့်မားသော အရည်ပျော်မှတ် (1600°C) ဖြင့် မန်းဂနိစ်ဆာလိုက် (MnS) ကို ဖွဲ့စည်းနိုင်သောကြောင့် မန်းဂနိစ်သည် desulfurization အကျိုးသက်ရောက်မှုရှိသည်။ ပူပြင်းသောအလုပ်လုပ်နေစဉ်တွင်၊ မန်းဂနိစ်ဆာလ်ဖိုင်ဒ်သည် လုံလောက်သော ပလတ်စတစ်ပုံစံရှိပြီး ဆာလဖာ၏အန္တရာယ်ရှိသောအကျိုးသက်ရောက်မှုကို ဖယ်ရှားပေးသည်။ ထို့ကြောင့် သံမဏိတွင် မန်းဂနိစ် ပမာဏကို ထိန်းသိမ်းထားရန် အကျိုးရှိသည်။

ဖော့စဖရပ် (P)

ဖော့စဖရပ်စ်ကို သံမဏိတွင် ferrite တွင် လုံးဝပျော်ဝင်နိုင်သည်။ သံမဏိအပေါ် ၎င်း၏ ခိုင်ခံ့မှု အာနိသင်သည် ကာဗွန်ထက်သာလွန်ပြီး သံမဏိ၏ ကြံ့ခိုင်မှုနှင့် မာကျောမှုကို တိုးစေသည်။ ဖော့စဖရပ်စ်သည် သံမဏိ၏ သံချေးတက်မှုကို မြှင့်တင်နိုင်ပြီး ပလတ်စတစ်၏ တင်းမာမှုနှင့် မာကျောမှုကို သိသိသာသာ လျှော့ချနိုင်သည်။ အထူးသဖြင့် အပူချိန်နိမ့်ချိန်တွင် ဖော့စဖရပ်စ်၏ အေးသောဒူးထောက်ခြင်းဟု ခေါ်သော သက်ရောက်မှုသည် ပို၍ပြင်းထန်သည်။ ထို့ကြောင့် သံမဏိ၏ အက်ကွဲခြင်း အာရုံခံနိုင်စွမ်းကို တိုးမြင့်ပြီး ဂဟေဆက်ခြင်းသည် အဆင်မပြေပါ။ အညစ်အကြေးအနေဖြင့် သံမဏိတွင် ဖော့စဖရပ်ပါဝင်မှုကိုလည်း ကန့်သတ်ထားသင့်သည်။

Chromium (Cr)

Chromium သည် ပလပ်စတစ် နှင့် မာကျောမှုကို မလျှော့ချဘဲ သံမဏိ၏ ခိုင်ခံ့မှုနှင့် မာကျောမှုကို တိုးမြင့်စေနိုင်သည်။ Chromium သည် ခိုင်ခံ့သော သံချေးတက်ခြင်းနှင့် အက်ဆစ်ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် austenitic stainless steel တွင် ယေဘုယျအားဖြင့် ခရိုမီယမ် (၁၃%) ထက်ပို၍ ပါဝင်ပါသည်။ Chromium သည် ဓာတ်တိုးမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး အပူဒဏ်ကိုလည်း ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ထို့ကြောင့် ခရိုမီယမ်ကို 12CrMo၊ 15CrMo 5CrMo ကဲ့သို့သော အပူခံစတီးလ်များတွင်လည်း တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုပါသည်။ စတီးလ်တွင် ခရိုမီယမ်ပမာဏ [7] ပါဝင်သည်။ Chromium သည် austenitic steel နှင့် ferritizing element ၏ အရေးကြီးသော ဒြပ်စင်တစ်ခုဖြစ်ပြီး သတ္တုစပ်စတီးတွင် အပူချိန်မြင့်မားသော oxidation resistance နှင့် mechanical properties ကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေပါသည်။ austenitic stainless steel တွင်၊ chromium နှင့် nickel စုစုပေါင်း ပမာဏ 40% ဖြစ်သောအခါ Cr/Ni = 1 တွင် ပူသောကွဲအက်မှု အလားအလာ ရှိပါသည်။ Cr/Ni = 2.7 ရှိသောအခါတွင် ပူသောကွဲအက်ခြင်း မရှိပါ။ ထို့ကြောင့် Cr/Ni = 2.2 မှ 2.3 အတွင်း ယေဘူယျအားဖြင့် 18-8 သံမဏိတွင် ခရိုမီယမ်သည် အလွိုင်းစတီးတွင် ကာဗိုဒ်များထုတ်လုပ်ရန် လွယ်ကူသည်၊ ၎င်းသည် အလွိုင်းစတီး၏ အပူကူးယူမှုကို ပိုဆိုးစေကာ ခရိုမီယမ်အောက်ဆိုဒ်ကို ထုတ်လုပ်ရန် လွယ်ကူသောကြောင့် welding ခက်ခဲစေသည်။

အလူမီနီယံ (AI)

အလူမီနီယမ်သည် အားကောင်းသော deoxidizing ဒြပ်စင်များထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သောကြောင့် အလူမီနီယမ်ကို deoxidizing အေးဂျင့်အဖြစ်အသုံးပြုခြင်းဖြင့် FeO လျော့နည်းစေရုံသာမက FeO ကို အလွယ်တကူ လျှော့ချနိုင်ကာ သွန်းသောရေကန်အတွင်း CO ဓာတ်ငွေ့၏ ဓာတုတုံ့ပြန်မှုကို ထိရောက်စွာ ဟန့်တားကာ CO ခုခံနိုင်စွမ်းကို တိုးတက်စေပါသည်။ ချွေးပေါက်များ။ ထို့အပြင်၊ အလူမီနီယံသည် နိုက်ထရိုဂျင်နှင့် နိုက်ထရိုဂျင်ကို ပြုပြင်ပေးနိုင်သောကြောင့် နိုက်ထရိုဂျင် ချွေးပေါက်များကို လျှော့ချနိုင်သည်။ သို့သော်၊ အလူမီနီယမ် ဓါတ်တိုးမှုနှင့်အတူ၊ ရလဒ် Al2O3 သည် မြင့်မားသော အရည်ပျော်မှတ် (2050°C ခန့်) ရှိပြီး သတ္တုတွင်းတွင် ကပ်စေးများပါဝင်နိုင်ဖွယ်ရှိသည့် အရည်ပျော်သည့်ရေကန်တွင် တည်ရှိနေပါသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ အလူမီနီယမ်ပါရှိသော ဂဟေဝိုင်ယာသည် ကွဲထွက်လွယ်သည်၊ အလူမီနီယံပါဝင်မှုမြင့်မားခြင်းသည် ဂဟေသတ္တု၏အပူကွဲအက်ခြင်းကို လျှော့ချနိုင်သောကြောင့် ဂဟေဝါယာများတွင် အလူမီနီယမ်ပါဝင်မှုကို တင်းကြပ်စွာထိန်းချုပ်ထားရမည်ဖြစ်ပြီး အလွန်လည်းမဖြစ်သင့်ပါ။ အများကြီး။ ဂဟေဝါယာများတွင် အလူမီနီယမ်ပါဝင်မှုကို ကောင်းစွာထိန်းချုပ်ထားပါက ဂဟေသတ္တု၏ မာကျောမှု၊ အထွက်နှုန်းအမှတ်နှင့် ဆန့်နိုင်အား အနည်းငယ် မြှင့်တင်ပေးမည်ဖြစ်သည်။

တိုက်တေနီယမ် (Ti)

တိုက်တေနီယမ်သည် အားကောင်းသော deoxidizing ဒြပ်စင်တစ်ခုဖြစ်ပြီး နိုက်ထရိုဂျင်ကို ပြုပြင်ရန်နှင့် နိုက်ထရိုဂျင်ချွေးပေါက်များကို ခုခံရန် သတ္တု၏စွမ်းရည်ကို မြှင့်တင်ရန် TiN ကို နိုက်ထရိုဂျင်နှင့် ပေါင်းစပ်နိုင်သည်။ weld တည်ဆောက်ပုံတွင် Ti နှင့် B (boron) ၏ ပါဝင်မှု သင့်လျော်ပါက၊ ဂဟေဖွဲ့စည်းပုံကို သန့်စင်နိုင်သည်။

မိုလစ်ဘဒင်နမ် (မို)

အလွိုင်းစတီးတွင်ရှိသော မိုလီဘဒင်နမ်သည် သံမဏိ၏ ခိုင်ခံ့မှုနှင့် မာကျောမှုကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်သည်၊ စပါးများကို သန့်စင်ပေးသည်၊ ဒေါသကို ကြွပ်ဆတ်မှုနှင့် အပူလွန်ကဲမှုတို့ကို တားဆီးနိုင်သည်၊ အပူချိန်မြင့်မားသော ခွန်အား၊ ရုန်းထွက်နိုင်မှုနှင့် တာရှည်ခံစွမ်းအားကို တိုးတက်စေကာ၊ မော်လီဘဒင်နမ်ပါဝင်မှု 0.6% ထက်နည်းသည့်အခါ ပလတ်စတစ်ဆားဗစ်ကို လျော့ချပေးနိုင်သည်။ ကွဲအက်ရန် သဘောထား နှင့် သက်ရောက်မှု ခံနိုင်ရည်ကို တိုးတက်စေသည်။ Molybdenum သည် graphitization ကိုမြှင့်တင်လေ့ရှိသည်။ ထို့ကြောင့်၊ ယေဘူယျအားဖြင့် မိုလီဘဒင်နမ်ပါဝင်သော အပူခံစတီးလ်များဖြစ်သည့် 16Mo, 12CrMo, 15CrMo စသည်တို့သည် 0.5% မိုလီဘဒင်နမ်ခန့် ပါဝင်ပါသည်။ အလွိုင်းစတီးတွင် မိုလီဘဒင်နမ်ပါဝင်မှု 0.6-1.0% ရှိသောအခါ မိုလီဘဒင်နမ်သည် သတ္တုစပ်သံမဏိ၏ ပလတ်စတစ်နှင့် မာကျောမှုကို လျော့ပါးစေပြီး သတ္တုစပ်သံမဏိ၏ ငြိမ်းသတ်နိုင်မှုကို တိုးစေသည်။

Vanadium (V)

Vanadium သည် သံမဏိ၏ ခိုင်ခံ့မှုကို တိုးမြင့်စေပြီး အစေ့အဆန်များကို သန့်စင်စေကာ စပါးကြီးထွားမှုနှုန်းကို လျှော့ချပေးပြီး မာကျောမှုကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်ပါသည်။ Vanadium သည် ကာဗိုဒ်ဖွဲ့စည်းရာတွင် အတော်လေး အားကောင်းသော ဒြပ်စင်ဖြစ်ပြီး ဖွဲ့စည်းထားသော ကာဗိုက်များသည် 650°C အောက် တည်ငြိမ်သည်။ အချိန်ပိုင်း တင်းမာစေသော အာနိသင်ရှိသည်။ Vanadium carbides သည် မြင့်မားသော အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုရှိပြီး သံမဏိ၏ မြင့်မားသော အပူချိန် မာကျောမှုကို မြှင့်တင်ပေးသည်။ Vanadium သည် သံမဏိတွင် ကာဘိုဒ်များ ဖြန့်ဖြူးမှုကို ပြောင်းလဲနိုင်သော်လည်း vanadium သည် refractory oxides များဖွဲ့စည်းရန် လွယ်ကူသောကြောင့် ဓာတ်ငွေ့ဂဟေဆက်ခြင်းနှင့် ဓာတ်ငွေ့ဖြတ်တောက်ခြင်းကို ခက်ခဲစေသည်။ ယေဘူယျအားဖြင့်၊ weld seam တွင် vanadium ပါဝင်မှုသည် 0.11% ခန့်ရှိသောအခါ၊ ၎င်းသည် နိုက်ထရိုဂျင် ပြုပြင်ခြင်းတွင် အခန်းကဏ္ဍတစ်ခုမှ ပါဝင်နိုင်ပြီး၊ အားနည်းချက်အဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲနိုင်သည်။